Propiedades optoelectrónicas del silicio policristalino crecido por bombardeo con cañón de electrones

• Autores: B. Alonso, J. Martínez, J. Piqueras
• Localización: III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 126-132
• Idioma: español
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• Resumen

  • A partir de las medidas de resistividad, movilidad y fotoconductividad, se ha tratado de determinar la estructura y propiedades de las muestras epitaxiales de silicio crecidas por bombardeo mediante cañón de electrones en función de la temperatura a la que se realiza el crecimiento. La muestra crecida a una temperatura de 910º tiene unas propiedades muy similares a la del monocristal, mientras que las realizadas a temperaturas inferiores 750º y 600º tienen propiedades típicamente policristalinas.