Estudio por FT-IR de la hidrólisis del tetraetilortosilicato

• Autores: J. Limpo, J. Rubio, José Luis Oteo
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 32, Nº. 1, 1993, págs. 31-35
• Idioma: español
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    La espectroscopia infrarroja con transformada de Fourier se utilizó en el estudio de la hidrólisis y policon-densación del tetraetilortosilicato (TEOS) en etanol para la obtención de gel de sílice. La relación molar HaO/TEOS/EtOH estudiada fue 10/1/1,25. El espectro del gel consiste en el solapamiento de amplias bandas, las cuales fueron deconvolucionadas en varias bandas por ajuste de la curva. Este análisis nos permitió obtener las bandas de vibración correspondientes a los enlaces existentes y evaluar el área integrada con el fín de seguir la evolución de éstas. La reacción de hidrólisis se estudió por la desaparición de la banda situada a 480 cm~^ que indica la ruptura del enlace O-C del TEOS y por la aparición de la banda situada a 3.700 cm"^ (durante el período de adición) que indica la formación de los grupos Si(OH)4. La reacción de policondensación se siguió por la desaparación de la banda situada a 3.700 cm~^ y por la aparición de otra banda a 460 cm~^ lo que indica la formación de enlaces Si-O-Si.

  • English

    Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) was used in order to study the hydrolysis and polycondensa-tion of tetraethoxysilane (TEOS) in ethanol, to form silica gel. The molar ratio HiO/TEOS/EtOH was 10/1/1,25. The gel espectra consist of broad overlapped bands which have been deconvoluted into several bands by curve fítting. This analysis has permitted us to obtain a vibration bands corresponding to the existent bonds and evaluate their integrated areas to follow the evolution of them. The hydrolysis was followed with the band at 480 cm"^ wich disappearance indicates the breakage of bond O-C in TEOS and with the band at 3.700 cm"^ (adition time) that correspond to Si(OH)4 groups. The polycondensation reaction was estudied with the dissap-pearance of band at 3.700 cm"^ and the appaerance of an absorption peak at 460 cm"^ associated with the bending of Si-O-Si.