Ayuda
Ir al contenido

Dialnet


Efecto resistivo del Memristor en circuitos análogos

  • Autores: John Jairo Leal, Diego Julián Rodríguez, Juan Pablo Cardona
  • Localización: Avances: Investigacion en Ingeniería, ISSN-e 2619-6581, ISSN 1794-4953, Vol. 13, Nº. 1, 2016
  • Idioma: español
  • Títulos paralelos:
    • Resistive Memristor behavior
  • Enlaces
  • Resumen
    • español

      En 1971 el profesor Chua propuso el cuarto elemento básico de circuitos y lo denominó el memristor, elemento que debe relacionar de manera directa la carga y el flujo magnético. Se denominó memristor, debido a que debe tener un comportamiento por una parte como una memoria, y por otra parte como un resistor. En el presente artículo, se propone analizar la respuesta de un circuito RLC sin forzamiento y compararla con la respuesta del circuito cuando se incluye un elemento no lineal como el memristor, o circuito MRLC. Los análisis se hacen en el dominio del tiempo y en el espacio de fase definido por la carga como para la corriente

    • English

      In 1971 Professor Chua proposed the fourth basic element circuits and called it the memristor, an element that must directly relate charge and magnetic flux. It’s call memristor because it must have a behavior as a memory and resistor. In the present paper analyzes the answer of RLC circuit and compares it with the response when nonlinear element such a memristor or MRLC is included. The Analyzes were done both in the time domain and in the phase space defined from electric charge and current.


Fundación Dialnet

Dialnet Plus

  • Más información sobre Dialnet Plus

Opciones de compartir

Opciones de entorno