Strained InAsN/InGaAs/InP multiple quantum well structures grown by RF-plasma assisted GSMBE for mid-infrared laser applications

• Autores: H. H. Lin, D. K. Shih, Y. H. Lin
• Localización: IEE Proceedings: Optoelectronics, ISSN 1350-2433, Vol. 150, Nº 3, 2003, págs. 253-258
• Idioma: inglés
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