Simulador numérico para transistores bipolares de heterounión

• Autores: Juan Miguel López González, Lluís Prat Viñas
• Localización: VIII Congreso Diseño de Circuitos Integrados: Málaga, 9 al 11 de noviembre de 1993, 1993, págs. 269-274
• Idioma: español
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• Resumen

  • El continuo avance tecnológico conlleva el uso cada vez mayor de heteroestructuras para mejorar las características de los nuevos dispositivos y circuitos. Los simuladores numéricos convencionales de dispositivos presentan limitaciones importantes para el análisis de éstos, ya que el modelo de transporte sobre el que están basados impide el estudio de heterouniones abruptas. Este trabajo presenta el desarrollo de un nuevo simulador numérico que supera esta limitación al integrar en un mismo algoritmo el transporte clásico por arrastre y difusión y el basado en la emisión termoiónica (adaptado para incluir las transmisión túnel) en las interfaces abruptas. Se aplica el simulador al estudio de transistores bipolares de heterounión basados en el sistema Si/Sil-xGex/Si.