Pau Riera Benito, Bartomeu Alorda Ladaria
Les memòries SRAM actualment estan en constant creixement tant a nivell d’utilització com d’investigació i es possible trobar memòries SRAM en un gran nombre d’aparells electrònics.
Malauradament, la miniaturització de la tecnologia CMOS presenta greus problemes per a les memòries SRAM, en aquest tipus de memòries el procés d’escalat o miniaturització té un impacte gran sobre l’estabilitat de les dades emmagatzemades a la cel·la SRAM. Per aquesta raó el grup de Sistemes Electrònics de la UIB va proposar estudiar el comportament de tres memòries SRAM amb diferents configuracions de cel·la cada una. En aquest document s’explica el procediments que s’han dut a terme per al disseny de les tres configuracions de memòria SRAM i els resultats obtinguts de la simulació d’aquets dissenys.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados