Modelización de los efectos de un "spike" en las uniones de un HBT mediante transporte por emisión termoiónica

• Autores: Juan Miguel López González, Lluís Prat Viñas
• Localización: Diseño de circuitos integrados: actas del VI Congreso. Santander, 11/15 de noviembre de 1991, 1991, ISBN 84-87412-61-0, págs. 81-85
• Idioma: español
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• Resumen

  • Los simuladores de dispositivos deben tener en cuenta nuevos modelos de transporte que incorporen los avances obtenidos en el estudio de estructuras, hetereouniones, de gran interés tecnológico. En este artículo se analizan los efectos de un "spike" en las uniones de un HBT mediante transporte por emisión termoiónica y en especial su repercusión en la caractérica de entrada, IE(VBE) de un transistor HBT en configuración emisor común y en la de salida en configuración base común, IC(VCB)