Corrigendum to “A subgap density of states modeling for the transient characteristics in oxide-based thin-film transistors” [Microelectron. Reliab. 60 (2016) 67–69]

• Autores: Weiliang Wang, Karim Khan, Xingye Zhang, Haiming Qin, Jun Jiang, Lijing Miao, Kemin Jiang, Pengjun Wang, Mingzhi Dai, Junhao Chu
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 67, 2016, págs. 159-160
• Idioma: inglés
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