Medida de la anisotropía magnetorresistiva en filmes de La0.7Ca0.3MnO3

• Autores: O. Cabeza, M.A. Bari, O. Barca, F. Miguélez, C.M. Muirhead
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 37, Nº. 3, 1998, págs. 213-216
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Measurement of the anisotropic magnetoresistance in films of La0.7Ca0.3MnO3
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• Resumen
  • español

    Presentamos medidas de dos tipos de anisotropía magnetorresistiva (AMR) en un film epitaxial de Lag yCag 3Mn03 usando bajos campos magnéticos (hasta 0'6 T). Primero medimos la magnetorresistencia con el campo magnético aplicado paralelo al plano del film y perpendicular al plano del film. Después, con el plano del film paralelo al campo magnético, medimos la MR cuando la direc-ción de la corriente inyectada es paralela y perpendicular al campo magnético aplicado. Las medidas se han realizado a tres tem-peraturas diferentes alrededor de la del pico de la resistividad (T =250 K). Las diferencias encontradas en la MR respecto al plano del film, pueden ser fácilmente explicadas a partir de la diferencia en el factor desmagnetizante del film en las dos orientaciones consideradas. De las medidas de la AMR respecto a la corriente inyectada, observamos que su amplitud es -6% a 0'5 T, indepen-diente de la temperatura y ligeramente decreciente con el campo magnético. Explicamos este efecto suponiendo que el paso de los electrones entre dos átomos adyacentes de Mn polarizados es más fácil cuando la polarización es paralela al movimiento de dichos electrones.

  • English

    We present measurements of two types of anisotropic magnetoresistivity (AMR) in an epitaxial film of Lag 7CaQ 3Mn03 using low magnetic fields (up to 0.6 T). First, we measure the magnetoresistivity, MR, with the applied magnetic field parallel to the film plane (in-plane) and perpendicular to the film plane (out-of-plane). With the film in the in-plane configuration, we measure the MR when the applied magnetic field is parallel and perpendicular to the injected current. The measurements have been performed at three different temperatures around the resistivity peak (T =250 K). The observed different MR relative to the film plane can be easily explained in terms of differences in the internal demagnetization factors between the in-plane and the out-of-plane configu-rations. From the AMR data respecting the injected current, we observe that the amplitude of this anisotropy is around 6% at 0.5 T, independent of the temperature and slightly dependent on the magnetic field. We explain this as that the hopping of charge carriers between two adjacent polarised Mn atoms is easier when the polarisation is parallel to the charge carrier movement.