Electronic electrical conductivity in n-type silicon

• Abebaw Abun Amanu ^[1]
  1. [1] Haramaya University

     Haramaya University

     Etiopía

     
• Localización: Latin-American Journal of Physics Education, ISSN-e 1870-9095, Vol. 9, Nº. 2, 2015
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    La conductividad eléctrica del silicio de tipo n depende de la concentración de dopaje, la cual varía de 10 a una temperatura de 300°K, donde la dispersión de impurezas ionizadas es el mecanismo de dispersión dominante. Este trabajo demuestra que la conductividad eléctrica del silicio de tipo n, aumenta conforme la concentración de electrones aumenta como resultado de dopaje. Cuando aumenta la concentración de electrones, la energía Fermi aumenta como resultado del incremento del nivel Fermi. 22 -10 26 /m 3

  • English

    The electrical conductivity of n-type silicon depends on the doping concentration which varies from10 at a given temperature 300 0 K where ionized impurity scattering is the dominant scattering mechanism. This work founds that the electrical conductivity of n-type silicon increases as the electron concentration increases as the result of doping. When the electron concentration increases, the Fermi energy increases from the result of the Fermi level increment. 22 -10 26 /m 3