Mcroestructura y propiedades eléctricas de bismuto y óxido de bismuto de depositados por magnetrón sputtering UBM

• Autores: D.M. Otálora B., John Jairo Olaya Flórez, A. Dussan
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 61, Nº. 2, 2015, págs. 105-111
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    En este trabajo, se fabricaron películas delgadas de Bismuto (Bi) y Óxido de Bismuto (Bi_(2(O_(3)) a temperatura ambiente mediante la técnica de Sputtering con Magnetron Desbalanceado (UBM - UnBalance Magnetron) sobre sustratos de vidrio. Las propiedades microestructurales y eléctricas de las muestras fueron estudiadas mediante difracción de rayos X (XRD) y el método para Medición de Propiedades Físicas - PPMS (Physical Property Measurement System), respectivamente. La resistividad a oscuras del material fue medida para un rango de temperaturas entre 100 y 400 K. A partir de las medidas de XRD se observó el carácter policristalino del Bi asociado a la presencia de fases por encima del pico principal, 2"theta"=26,42º y un crecimietno gobernado por una estructura Romboédrica. Los parámetros cristalinos fueron obtenidos para ambos compuestos de Bi y Bi_(2(O_(3). A partir de los análisis de los espectros de la conductividad en función de la temperatura se estableció que el mecanismo de transporte que gobierna la región de altas temperaturas (T>300K) es el de portadores térmicamente activados. A partir de las medidas de conductividad se encontró que las energías de activación para el Bi_(2(O_(3) y Bi fueron de 0.0094 y 0.015 eV, respectivamente.

  • English

    In this work, bismuth (Bi) and bismuth oxide (Bi_(2(O_(3)) thin films were prepared, at room temperatures, by Sputtering Unbalanced Magnetron (UBM - Unbalance Magnetron) technique under glass substrates. Microsttructural and electrical properties of the samples were studied by X-ray diffraction (XRD) and System for Measuring Physical Properties - PPMS (Physical Property Measurement System). Dark resistivity of the material was measured for a temperature range between 100 and 400 K. From the XRD measurements it was observed a polycrystalline character of the Bi associated to the presence of phases above the main peak, 2"theta"=26.42º and a growth governed by a rhombohedral structure. Crystal parameters were obtained for both compounds, Bi and Bi_(2(O_(3). From the analysis of the spectra of the conductivity as a function of temperature, it was established that the transport mechanism that governs the region of high temperature (T>300 K) is thermally activated carriers. From conductivity measurements the activation energies were obtained of 0.0094 eV and 0.015 eV for Bi_(2(O_(3) and Bi, respectively.