Resumen de Theoretical study of the electronic band gap in "Beta"-SiC nanowires
A. Trejo, M. Calvino, A.E. Ramos, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson
- español
La estructura y las propiedades electrónicas de nanoalambres de "Beta"-SiC crecidos en las direcciones [111] y [001] son calculadas a través de la teoría del funcional de la densidad (DFT) basada en la aproximación de gradiente generalizado (GGA). Los enlaces rotos de los átomos de la superficie en los alambres cuánticos son pasivados usando átomos de hidrógeno. Los resultados muestran que ambos tipos de nanoalambres presentan una brecha de energía directa en el centro de la zona de Brillouin. La estructura de bandas electrónica y la brecha de energía muestran una significativa dependencia del diámetro, orientación y pasivación de la superficie.
- English
The structure and electronic properties of "Beta"-SiC nanowires in the directions of growth [111] and [001] are carried out by means of density functional theory (DFT) based on the generalized gradiente approximation (GGA). The dangling bonds of the surface atoms in the quantum wires are passivated using hydrogen atoms. The calculations show that both nanowires exhibit a direct energy band gap at center of Brillouin zone. The electronic band structure and band gaps show a significant dependence on the diameter, orientation and surface passivation.
