Resumen de Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu

A. Blanca-Romero, J.M. Hernández-Alcántara, M.A. Ocaña-Bribiesca, J.F. Rivas Silva

• español

  Un material dopado se puede obtener al sustituir uno de sus átomos por una impureza. En este trabajo se proponen cuatro modelos estructurales que simulan el material ZnO dopado con Eu y se analiza la influencia de la correlación electrónica mediante la densidad de estados (DOS) del sistema. En particular, las impurezas de lantánidos presentan propiedades ópticas y electrónicas peculiares debidas a los electrones en la capa 4f, los cuales generan una resonancia tipo Kondo en el nivel de Fermi.

• English

  A doped material can be obtained by substitution of one of its atoms with an impurity. In this work we propose four structural models which simulate a ZnO system doped with Eu and study the influence of the electron correlation in the system with the density of states (DOS). In particular, we observe that the lanthanide impurities exhibit peculiar optical and electronic properties due to the 4f subshell, which produce a Kondo-like resonance at the Fermi level.