Resumen de Influencia de la geometría y dopaje en las propiedades electrónicas de la hoja SiC
- español
Se analiza el efecto de la geometría en las propiedades electrónicas de la hoja de carburo de silicio (SiC) usando para ello la Teoría del Funcional de la Densidad a nivel de la Aproximación de la Densidad Local (LDA), usamos un modelo de cúmulo rectangular (Si12C12H12) y triangular (Si12C12H10) para representar a la hoja con extremo tipo armchair y zig-zag, respectivamente. La estabilidad estructural se logra obreniendo frecuencias de vibración positivas, indicando los resultados que los dos modelos son estables con comportamiento electrónico en el rango de semiconductores (2.75 eV para la triangular y 1.15 eV para la rectangular) y con polaridad baja (12x10-3 Debye) para el caso triangular y para el arreglo rectangular presenta alta polaridad (5271.7x10-3 Debye). Por otro lado, cuando dicha hoja rectangular es dopada con un átomo de nitrógeno presenta estabilidad estructural (cuando se sustituye un C por un N), además presenta una transición semiconductor-semimetal y alta polaridad (6328.7x10-3 Debye) análoga con la hoja sin dopaje.
- English
In this work it is presented a study concerning the effect of geometry and nitrogen doping on the electronic properties of the silicon carbide (SiC) sheet by means of the Density Functinal Theory (DFT) at the level of Local Density Approximation (LDA). Two different basic geometrics were used to model the SiC system: rectangular (armchair type; Si12C12H12) and triangular (zig-zag type; Si12C12H10). It was found that both systems are stable. Although a semiconductor behavior was recognized for both models, the gap energy shows strong dependence on the geometry. While the calculated gap energy for the rectangular cluster was 1.15 eV, for the triangular geometry it was twice as large (2.75 eV). A transition form covalent to ionic character by controllign the geometry of the SiC cluster is reported. The calculated dipolar moment for the triangular and rectangular cluster was 12x10-3 and 5271.7x10-3 Debye, respectively. Finally the effect of nitrogen doping on the structural stability and electronic properties of the systems are discussed.
