Aluminum doping of CdTe polycrystalline films starting from the heterostructure CdTe/Al

• Autores: M. Becerril, Osvaldo Vigil Galán, G. Contreras-Puente, O. Zelaya-Angel
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 57, Nº. 4, 2011, págs. 304-308
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    Películas policristalinas de CdTe dopadas con aluminio fueron obtenidas a partir de la heteroestructura CdTe/Al/Vidrio Corning. El aluminio fue depositado por evaporación térmica en vacío y el CdTe por erosión catódica a partir de un blanco de CdTe. El aluminio fue introducido dentro de la red del CdTE por medio de un tratamiento térmico a partir de la heteroestructura CdTe/Al/Vidrio Corning. Las propiedades ópticas, eléctricas y estructurales fueron analizadas en función de la concentración de aluminio. Se encontró que cuando el Al es incorporado dentro de la red del CdTe, la resistividad disminuye y la concentración de portadores aumenta. En ambos casos los cambios son de varios órdenes de magnitud. De estos resultados se puede concluir que usando estas técnicas de deposición se pueden producir películas policristalinas de CdTe-Al tipo n.

  • English

    Aluminum doped CdTe polycrystalline films were obtained from the heterostructure CdTe/Al/Corning glass. The aluminum was deposited by thermal vacuum evaporation and the CdTe by sputtering of a CdTe target. The aluminum was introduced into the lattice of the CdTe from a thermal annealed to the CdTe/Al/Corning glass heterostructure. The electrical, structural, and optical properties were analyzed as a function of the Al concentration. It found that when Al is incorporated, the electrical resistivity drops and the carrier concentration increases. In both cases the changes are several orders of magnitude. From the results, we conclude that, using this deposition techniques, n-type Al doped CdTe polycrystalline films can be produced.