Resumen de Identificación de una Nueva Fase en la Estructura Cristalina del Compuesto Cuaternario Cu2ZnSnSe4 Durante la Etapa Incorporación del ZnSe

Anderson Dussan Cuenca, Heiddy Paola Quiroz Gaitán, Neyder Jesús Seña Gaibao

• español

  En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades estructurales de películas delgadas del compuesto Cu2ZnSnSe4 variando tanto la masa (MX) como la temperatura del sustrato al cual fue evaporado (Ts) el compuesto binario ZnSe. Todas las muestras fueron depositadas por el método de co-evaporación en tres etapas y manteniendo constante los demás parámetros. A partir de las medidas de difracción de Rayos x fue posible establecer con el incremento de la Ts la presencia de fases binarias asociadas al compuesto cuaternario durante el proceso de crecimiento del material.

  Se encontró que alrededor del pico principal, 2. = 27,1°, predominan las fases binarias y la presencia del ZnSe que se forma durante la subsecuente etapa de selenización del material. Una especie de bifurcación en el pico principal (2. = 27,1°) fue observado para la transición entre MZnSe = 0,153 g a 0,171 g. Medidas de difracción de rayos x fueron realizadas al compuesto binarios puro, observándose una correspondencia con los picos encontrados alrededor del pico principal del compuesto. Un estudio a través de espectroscopia Raman evidenció corrimientos raman asociados a los compuestos binarios observados por XRD. A partir de la ecuación de Scherrer se encontró que los tamaños de los cristalitos variaban entre 80 y 90 nm.

• português

  Neste trabalho apresenta-se um estudo das propriedades estruturais de películas finas do composto Cu2ZnSnSe4 variando tanto a massa quanto a temperatura do substrato no qual foi evaporado (Ts) o composto binário ZnSe. Todas as amostras foram depositadas com o método de co-evaporação n em três etapas e mantendo constante os outros parâmetros. A partir das medidas de difração de raios x foi possível estabelecer com o incremento da Ts a presença de fases binárias associadas ao composto quaternário durante o processo de crescimento do material. Encontrou-se que ao redor do pico principal, 2. = 27,1°, predominam as fases binárias e a presença do ZnSe que se forma durante a siguente etapa de selenização do material. Um tip de bifurcação no pico principal (2. = 27,1°) foi observado para a transição entre MZnSe = 0,153 g a 0,171 g. Medidas de difração de raios x foram realizadas ao composto binário puro, observou-se uma correspondência com os picos encontrados ao redor do pico principal do composto.

  Um estudo a través de espectroscopia Raman evidenciou corrimentos Raman associados aos compostos binários observados por XRD. A partir da equação de Scherrer encontrou-se que os tamanhos dos cristalitos variavam entre 80 e 90 nm.

• English

  This work presents a study of the structural properties of thin films of the compound Cu2ZnSnSe4 varying both mass (MX) and the substrate temperature which was evaporated (Ts) ZnSe binary compound. All samples were deposited by co-evaporation method in three phases keeping all other parameters constant. From measurements of x-ray diffraction it was possible to establish Ts increasing the presence of associated binary phase�s quaternary compound during the growth process of the material. It was found that around the main peak, 2. = 27,1°, predominantly binary phases and the presence of ZnSe which is formed during the subsequent step of selenization of the material. A sort of fork in the main peak (2. = 27,1°) was observed for the transition between MZnSe = 0,153 g to 0,171 g. X-Ray diffraction measurements were made at binary compound pure, observing a correspondence with the peaks found around the main peak of the compound. A study by Raman spectroscopy, Raman shifts associated evidenced binary compounds observed by XRD.

  From the Scherrer equation it was found that crystallite sizes range between 80 and 90 nm.