Investigating the electro-optical properties of non-stoichiometric silicon nitride thin films for photovoltaic applications

• Autores: Oriol Blázquez, Julia López-Vidrier, Sergi Hernández, Josep Montserrat, Blas Garrido Fernández
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 46, Nº. 4, 2013 (Ejemplar dedicado a: VIII Spanish Meeting on Optoelectronics), págs. 309-314
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Investigando las propiedades electro-ópticas de capas delgadas de nitruro de silicio no estequiométrico para aplicaciones fotovoltaicas
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• Resumen
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    Se han estudiado las propiedades electro-ópticas de dispositivos con capas delgadas de nitruro de silicio rico en silicio (SRN, de sus siglas en inglés), fabricadas mediante un depósito químico de vapor a baja presión (LPCVD). Después de la evidencia óptica de la presencia de defectos en dichas capas, se consideró un mecanismo de conducción del tipo Poole-Frenkel, de acuerdo con los experimentos eléctricos. Se observó que la capa de poli-Si modula fuertemente la electroluminiscencia y la absorción de luz de los dispositivos. Además, éstos mostraron fotocorriente y fotoconductividad bajo iluminación, lo que hace del SRN un material prometedor para aplicaciones fotovoltaicas.

  • English

    The electro-optical properties of devices containing Si-rich silicon nitride (SRN) thin films, deposited by means of low-pressure chemical-vapor deposition (LPCVD), are studied. After optically evidencing the presence of defects in our films, a Poole-Frenkel conduction mechanism has been considered, which is in agreement with electrical experiments. We found that the poly-Si layer strongly modulates the electroluminescence and light absorption of the devices. In addition, they showed photocurrent and photoconductivity under illumination, SRN becoming a promising material for photovoltaic applications.