The effect of the photon recycling phenomena on the current gain characteristics of (GaAl)As-GaAs-GaAs heterojunction transistors

• Autores: P. Villaseñor-González, J. Dorantes-Dávila, A. Lastras Martínez
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 44, Nº. 1 (FEB), 1998, págs. 68-72
• Idioma: inglés
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