Correlación entre la profundidad de la cola de banda y el potencial originado por las impurezas en semiconductores tipo n y ligeramente compensados

• Autores: Gerardo Fonthal, José Moros
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 47, Nº. 1 (FEB), 2001, págs. 50-53
• Idioma: español
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