Propiedades ferroeléctricas de películas delgadas de GeSbTe

• Autores: J.J. Gervacio Arciniega, E. Prokhorov, F.J. Espinoza-Beltrán
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 57, Nº. 2, 2011, págs. 172-175
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    El objetivo de este trabajo es investigar y comparar las propiedades ferroeléctricas de películas delgadas de Ge_4Sb_1Te_5 (con propiedades ferroeléctricas bien definidas) y Ge_2Sb_2Te_5 usando técnicas de impedancia, reflexión óptica, XRD, DSC y de microscopía de fuerza por piezorrespuesta. La dependencia de la capacitancia con la temperatura en ambos materiales muestra un cambio abrupto a la temperatura que corresponde a la transición ferroeléctrico-paraeléctrico y la dependencia tipo Curie-Weiss. En las películas de Ge_2Sb_2Te_5 esta transición corresponde al fin de la transformación de la estructura tipo NaCl a la hexagonal. La microscopía de fuerza por piezorespuesta halló dominios ferroeléctricos de dimensiones aproximadamente iguales a la de los granos.

  • English

    The aim of this work is to investigate and compare ferroelectrical properties of thin GeSbTe films with composition Ge_4Sb_1Te_5 (with well defined ferroelectrical properties) and Ge_2Sb_2Te_5 using impedance, optical reflection, XRD, DSC and Piezoresponse Force Microscopy techniques. The temperature dependence of the capacitance in both materials shows and abrupt change at the temperature corresponding to ferroelectric-paraelectric transition and the Curie-Weiss dependence. In Ge_2Sb_2Te_5 films this transition corresponds to the end from a NaCl-type to a hexagonal transformation. Piezoresponse Force Microscopy measurements found ferroelectric domains with dimensions approximately equal to the dimension of grains.