Células solares de tercera generación: alta eficiencia y bajo coste mediante crecimiento por MOVPE de semiconductores III-V sobre silicio

• Autores: Diego Martín Martín, Ignacio Rey-Stolle Prado, Iván García Vara, Enrique Barrigón Montañés, Elisa García-Tabares Valdivieso
• Localización: Anales de ingeniería técnica en informática de sistemas, Nº. 3, 2010, págs. 81-92
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se describe una estrategia de crecimiento de semiconductores III-V (los materiales base para las células solares multiunión de alta eficiencia) sobre substratos de silicio mediante la técnica de Epitaxia en Fase Vapor mediante Precursores Metalorgánicos (MOVPE). El objetivo principal es obtener materiales III-V (Gap, GaAsP, GaInP) con suficiente calidad fotovoltáica para su eventual integración en células solares multiunión híbridas III-V/Silicio. Esta estrategia busca abaratar la tecnología de las células solares mulltiunión, al desarrollar procedimientos para poder fabricarlas sobre substratos de bajo coste. Este binomio alta eficiencia + bajo coste es lo que se ha dado en llamar Tecnología Fotovoltáica de Tercera Generación.