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Configuración de vórtices en películas finas: teoría Ginzburg-Landau no lineal

  • Autores: José José Barba Ortega, Miryam Rincón Joya
  • Localización: TecnoLógicas, ISSN-e 2256-5337, ISSN 0123-7799, Nº. 27, 2011, págs. 89-102
  • Idioma: español
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  • Resumen
    • español

      En este trabajo investigamos teoricamente el estado de Shubnikov en una pelicula superconductora con seccion transversal cuadrada con un defecto inserido en su centro. La muestra esta inmersa en un campo magnetico uniforme y homogeneo aplicado perpendicularmente a su plano. Asumimos que el defecto interno esta lleno de un material metalico. La presencia de dicho material se simula mediante las condiciones de contorno de de Gennes, via la longitud de extrapolacion, parametro b>0. Utilizando la teoria Ginzburg-Landau dependiente del tiempo con el metodo de variables de union, estudiamos el numero de vortices, supercorrientes, curvas de magnetizacion y energia libre en funcion del campo magnetico aplicado. Espontaneamente una interaccion de un par vortice-antivortice (V-AV) dentro de la muestra puede aparecer.

      Esta interaccion puede ocurrir dentro o fuera del defecto metalico.

      Podemos apreciar que la aniquilacion del par VAV ocurre cada vez mas cerca del defecto a medida que b�¨0 (materiales mas metalicos).

    • English

      In this work, we investigated theoretically the Shubnikov state in a superconducting film with square cross section with a defect inserted in the center. The sample is immersed in a uniform and homogeneous magnetic field applied perpendicular to its plane. We assume that the internal defect is filled with a metallic material.

      The presence of such material is simulated by the boundary conditions of de Gennes, via the extrapolation length, parameter b> 0. Using the time-dependent Ginzburg-Landau theory with the Link variable method, we analyze the vortex number, supercurrents, magnetization curves and free energy as function of the applied magnetic field. Spontaneously a vortex-anti-vortex pair (V-AV) interaction into the sample can appears. This interaction can occur inside or outside the metal defect. We see that the VAV pair annihilation occurs closer the defect when b�¨0 (more metallic material).


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