Elementos ferroeléctricos de memorias

• Autores: José Gonzalez Ibeas, Juan María Sandoval Martín
• Localización: Revista de automática, ISSN 0374-4205, Año 4, Nº. Extra 1, 1971 (Ejemplar dedicado a: Monográfico del Congreso de Automática celebrado en Madrid del 14 al 17 de abril de 1970), págs. 303-305
• Idioma: español
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• Resumen

  • Una lámina delgada de un semiconductor vítreo, situada entre dos electrodos, puede actuar como circuito umbral. Cuando se construye este circuito sobre la superfifie de un ferroeléctrico, el valor de la tensión umbral depende del signo de polarización del ferroeléctrico. Se describen las experiencias realizadas en este sentido. El método da una posibilidad de construir memorias ferroeléctricas en las que se haga la lectura sin destrucción de la información contenida en las mismas. El tiempo de inscripción depende de las características del ferroeléctrico, ero en el tiempo de lectura sólo depende de las características del circuito laminar.