Estructuras basadas en anillos resonantes para aplicaciones activas en silicio

• Autores: M. Aamer, Ana María Gutierrez Campo, Antoine Brimont, Pablo Sanchis Kilders
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 45, Nº. 2, 2012 (Ejemplar dedicado a: ESPECIAL OPTOEL´11), págs. 169-175
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • ing resonator structures for active applications in Silicon
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    En este articulo, realizamos una revision de estructuras basadas en anillos resonantes para aplicaciones activas en silicio. En concreto, analizamos y demostramos resonadores en anillo para sintonizacion termo-optica y modulacion electro-optica. Un demultiplexor en tecnologia SOI (Silicon- On-Insulator) sintonizable termo-opticamente es presentado y experimentalmente demostrado, con bajas perdidas de insercion y una alta relacion de extincion. En lo referente a la modulacion electrooptica, se han analizado tanto estructuras basadas en un unico anillo resonante, asi como estructuras basadas en interferometros Mach-Zehnder con un anillo acoplado. El objetivo es aprovechar estas estructuras en terminos de relacion de extincion, potencia consumida, y tamaño del dispositivo para mejorar la modulacion a alta velocidad..

  • English

    In this paper we make a review of ring resonators structures for active applications in silicon.

    Specifically, we analyze and demonstrate microring tunable resonators for thermo-optic tuning and electro-optic modulation. A Thermo-optically tunable Silicon-On-Insulator (SOI) microring demultiplexer with high extinction ratio and low insertion losses is presented and experimentally demonstrated. Concerning Electro-Optic modulation, single ring resonator structures and ring enhanced Mach-Zehnder interferometer (REMZI) structures have been theoretically analyzed. The goal is to take advantage of such structures in terms of extinction ratio, required power consumption and device size to achieve high speed modulation..