Javier Molina C., William López P.
Se ha realizado cálculos de primeros principios para determinar las propiedades estructurales del compuesto InP, en las estructuras zinc blenda, NaCl, wurzita, NiAs y CsCl, utilizando la teoría del funcional densidad (DFT) y el método de ondas planas aumentadas y linealizadas con potencial completo (FP-LAPW). Para representar los efectos de intercambio y correlación, empleamos la aproximación de gradiente generalizado (GGA); con el novedoso potencial de Wu-Cohen, como está implementado en el paquete Wien2k. Se encontró que la estructura más estable es la tipo zinc blenda y se observó la transición de fase estructural de ZB a NaCl bajo presión. Analizando en detalle la estructura de bandas y la densidad de estados en la fase más estable, evidenciándose un comportamiento semiconductor con brecha de energía prohibida directa.
We have performed first principles calculations to determine the structural properties of InP compound, in zinc blende, NaCl, wurtzite, NiAs and CsCl structures, using density functional theory (DFT) and the full potential linearized augmented plane waves method (FP-LAPW). To represent the exchange and correlation effects we used the generalized gradient approximation (GGA), with the Wu-Cohen, as implemented in the Wien2k package. We find that the most stable structure is the zincblende type and under pressure is observed. We analyze in detail the band structure and density of states in the more stable phase, being shown a semiconductor behavior with direct energy band gap.
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