Análisis del comportamiento eléctrico de óxidos de silicio enriquecidos en silicio

• Autores: Joan Juvert Sández, Alfredo González Fernández, Alfredo Morales-Sánchez, Jorge Barreto, Mariano Aceves-Mijares, Carlos Dominguez Horna
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 45, Nº. 2, 2012 (Ejemplar dedicado a: ESPECIAL OPTOEL´11), págs. 155-161
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Analysis of the electrical behavior of silicon rich silicon oxides
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    Se ha estudiado el comportamiento eléctrico (capacitancia-voltaje y corriente-voltaje) de estructuras tipo MOS con óxido de silicio enriquecido en silicio (SRO) como material dieléctrico. La capa activa de SRO ha sido obtenida por tres técnicas compatibles CMOS diferentes, como son la deposición química de vapor a baja presión (LPCVD), la deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD) y la implantación iónica. Se han analizado diferentes excesos de silicio. Los resultados se han relacionado con el comportamiento electroluminiscente de las muestras. Se han identificado dos regímenes de conducción distintos: un régimen de altas pérdidas y un régimen de bajas pérdidas. El primero se ha asociado a un comportamiento C-V anómalo y a luminiscencia a través de un número limitado de puntos en el área de los dispositivos, mientras que el último se ha relacionado con un comportamiento C-V ordinario y a una luminiscencia homogénea en el área de los dispositivos.

  • English

    The electrical behavior (capacitance-voltage and current-voltage) of MOS-like structures with silicon rich silicon oxide (SRO) as the dielectric material has been studied. The SRO active layer has been obtained by three different CMOS compatible techniques, namely low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and ion implantation. Different silicon excesses have been analyzed. The results have been related to the electroluminescent behavior of the samples. Two different conduction regimes have been identified: a high leakage regime and a low leakage regime. The former is related to an anomalous C-V behavior and to the luminescence from a limited number of dots in the area of the devices whereas the latter is related to a regular C-V behavior and to the homogeneous luminescence of the whole area of the devices.