Análisis estructural y morfológico de películas de nitruro de aluminio obtenidas por deposición de láser pulsado

• Autores: Jaime Andrés Pérez Taborda, Henry Riascos Landázuri, Francy Nelly Jiménez García, Julio César Caicedo Angulo
• Localización: Ciencia e Ingeniería Neogranadina, ISSN-e 0124-8170, Vol. 20, Nº. 2, 2010
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Structural and morphological analysis of aluminum nitride films of obtained by pulsed laser deposition
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    En este trabajo, se presentan los resultados preliminares de películas nanoestructuradas de nitruro de aluminio (AlN), que fueron depositadas con el método de deposición por láser pulsado (PLD). Al efecto, se utilizó un láser Nd:YAG (A=1064nm), que impacto un blanco de aluminio de alta pureza (4N), en una atmósfera de nitrógeno. Se utilizaron como sustratos portaobjetos de vidrio, Si3N4 (100) y Si (100). El tiempo de deposición fue de 15 minutos a una fluencia del láser 7 J/cm2 y a temperatura ambiente. El espesor de las películas fue de 50 nm medido con un perfilómetro. Para estudiar la influencia del nitrógeno en las películas delgadas de AlN, se varió la presión del gas ambiente entre (3 y 4) mTorr. Igualmente se estudió la influencia del sustrato en las propiedades morfológicas de las películas delgadas de AlN. La nanoestructura de las películas se determinó mediante microscopia electrónica de barrido (SEM), y microscopia de fuerza atómica (AFM); la composición química, utilizando la técnica de espectroscopía de rayos X por dispersión de energía (EDX). La estructura cristalina fue estudiada con difracción de rayos X (DRX), para la película de 4 mTorr sobre un sustrato de Si3N4 (100), y se encontró una estructura policristalina con reflexiones de los planos (002), asociados a la estructura tipo wurtzita del AlN

  • English

    this paper gives the preliminary results about aluminum nitride (aln) nanoestructured films deposited by pulsed laser deposition (PLD) technique, by using laser Nd:YAG (A=1064), which hit a target of high purity aluminum (4N) in a nitrogen atmosphere. We used glass slide, si3n4 (100) and si (100) as substrates. the deposition time was 15 minutes at laser fluence 7 J/cm2 and room temperature. The thicknesses of thin films were 50 nm measured with a profilometer. The influence of nitrogen on thin films was studied by changing room gas pressure between 3 and 4 mTorr. Also we have studied the influence of substrate on morphological properties of AlN thin films. The film nanostructure was determined by scanning electron microscopy (sem), atomic force microscopy (aFm) -the chemical composition- using the technique of energy dispersive X-ray (edX). the crystal structure was examined with X-Ray Diffraction (XRD) to a 4 mTorr film on a Si3n4 (100) substrate giving a polycrystalline structure with reflections of planes (002), linked to the wurtzite-like structure of aln