Characteristics of Ga-Doped ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering in Ar + H2 Ambience

• Autores: K. Muto
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 91, Nº 10, 2008, págs. 1649-1652
• Idioma: inglés
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