The Influence of the Stacked and Double Material Gate Structures on the Short Channel Effects in SOI MOSFETS

• Autores: B. Esfandyarpour, E. Fathi, A. Behnam, P. Hashemi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 6, 2005, pág. 1122
• Idioma: inglés
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