Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer

• Autores: R. Ito
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 91, Nº 7, 2008, págs. 989-993
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)