FinFET-Based Flex-Vth SRAM Design for Drastic Standby-Leakage-Current Reduction

• Autores: S. O'Uchi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 91, Nº 4, 2008, págs. 534-542
• Idioma: inglés
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