Stress Effect Analysis for PD SOI pMOSFETs with Undoped-Si 0.88 Ge 0.12 Heterostructure Channel

• Autores: S. Choi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 91, Nº 5, 2008, págs. 716-720
• Idioma: inglés
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