Accurate Extraction of the Trap Depth from RTS Noise Data by Including Poly Depletion Effect and Surface Potential Variation in MOSFETs

• Autores: H. Lee
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 5, 2007, págs. 968-972
• Idioma: inglés
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