Study of 30-nm Double-Gate MOSFET with Halo Implantation Technology Using a Two-Dimensional Device Simulator

• Autores: T. Endoh, Y. Momma
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 5, 2007, págs. 1000-1005
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)