Low-Temperature Gate Insulator for Poly-Si Thin Film Transistors by Combination of Photo-Oxidation and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and O~2 Gases

• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 11, 2002, pág. 1849
• Idioma: inglés
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