Analysis of Boron Penetration and Gate Depletion Using Dual-Gate PMOSFETs for High Performance G-Bit DRAM Design

• Autores: N. Takaura
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 5, 2002, págs. 1138-1145
• Idioma: inglés
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