Measuring Contact Resistance of a Poly-Siliconn Plug on a Lightly Doped Single-Diffusion Region in DRAM Cells

• Autores: N. Kasai, H. Koga, Y. Takaishi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 5, 2002, págs. 1146-1150
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)