A New Test Structure for Precise Location Measurement of Hot-Carrier-Induced Photoemission Peak in Subquarter-Micron MOSFETs

• Autores: T. Matsuda
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 5, 2002, págs. 1125-1133
• Idioma: inglés
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