A Site Specification Method of Gate Oxide Breakdown Spots by a New Test Structure of MOS Capacitors

• Autores: S. Ikeda, H. Uchida, N. Hirashita
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 5, 2002, págs. 1134-1137
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)