High Performance P-Channel Single-Crystalline Si TFTs Fabricated Inside a Location-Controlled Grain by mu-Czochralski Process (INVITED)

• Autores: D. Abe, S. Inoue, T. Shimoda, W. Metselaar, V. Rana, R. Ishihara, Y. Hiroshima
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 11, 2004, pág. 1943
• Idioma: inglés
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