An Analysis of Program and Erase Mechanisms for Floating Channel Type Surrounding Gate Transistor Flash Memory Cells

• Autores: F. Masuoka, M. Hioki, H. Sakuraba, T. Endoh
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 9, 2004, pág. 1628
• Idioma: inglés
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