High-Frequency Characteristics of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors under Pulsed-Mode Operation

• Autores: H. C. Tseng, K. M. Chen, G. W. Huang, L. H. Chang
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 5, 2004, pág. 720
• Idioma: inglés
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