The Maximum Operating Region in SiGe HBTs for RF Power Amplifiers

• Autores: Y. Matsuda, A. Inoue, S. Nakatsuka, T. Ishikawa
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 5, 2004, pág. 714
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)