Novel High-Throughput Plasma Enhanced Growth of SiGe in a 200 mm/300 mm Single Wafer Cluster Tool

• Autores: J. Ramm, H. von Kanel
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 1935
• Idioma: inglés
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