Improved RF Characteristics of InGaP/GaAs HBTs by Using Novel Ledge Coupled Capacitor (LCC) Structure

• Autores: M. Yanagihara, T. Tanaka, N. Tsurumi, M. Ishii, M. Nishijima
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2004
• Idioma: inglés
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