Gate Leakage in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors and Its Suppression by Novel Al~2O~3 Insulated Gate

• Autores: S. Ootomo, H. Hasegawa, T. Hashizume
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2043
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)