Suppression of Charges in Al~2O~3 Gate Dielectric and Improvement of MOSFET Performance by Plasma Nitridation

• Autores: T. Iwamoto, T. Ogura, N. Ikarashi, T. Yamamoto, K. Manabe, K. Endo, S. Kamiyama
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 1, 2004, pág. 30
• Idioma: inglés
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