Reliability of AlGaAs and InGaP Heterojunction Bipolar Transistors

• Autores: J. Elliot, J. P. Rodrigues, N. Pan, R. E. Welser, C. R. Lutz
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 11, 1999, págs. 1886-1894
• Idioma: inglés
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