Self-Aligned SiGe HBTs with Doping Level Inversion Using Selective Epitaxy

• Autores: S. Ito
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 3, 1999, págs. 526-530
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)