0.21-fJ GaAs DCFL Circuits Using 0.2-ìm Y-Shaped Gate AIGaAs/InGaAs E/D-HJFETs

• Autores: S. Wada
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 3, 1999, págs. 491-497
• Idioma: inglés
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